光刻胶是集成电路微细图形加工的关键材料，直接决定分辨率、线边缘粗糙度与灵敏度。2025 年全球半导体光刻胶市场，日本占 74.9%、美国占 11.81%，中国仅 3.48%。 “十五五”规划已把工艺与辅助材料突破列入重点任务。波长从 436 nm 推进到 13.5 nm，光子能量由 6.4 eV 跃升至 92 eV，首次高于组分的电子结合能，反应机理随之质变。这些过程发生在电子/原子尺度、跨度从飞秒到秒级，常规实验难以原位观测——计算模拟因此成为研发链条中不可替代的一环。

10月29日下午，线上报告“光刻胶中的多尺度问题——从光酸产生到溶解扩散”已通过源资课堂顺利举办，从原子尺度仿真角度，介绍了高分子固化，交联与裂解的相关过程。

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