光刻胶是集成电路微细图形加工的关键材料，直接决定分辨率、线边缘粗糙度与灵敏度。2025 年全球半导体光刻胶市场，日本占 74.9%、美国占 11.81%，中国仅 3.48%。 “十五五”规划已把工艺与辅助材料突破列入重点任务。波长从 436 nm 推进到 13.5 nm，光子能量由 6.4 eV 跃升至 92 eV，首次高于组分的电子结合能，反应机理随之质变。这些过程发生在电子/原子尺度、跨度从飞秒到秒级，常规实验难以原位观测——计算模拟因此成为研发链条中不可替代的一环。
为此，源资科技推出主题为 "光刻胶中的多尺度问题：从光酸产生到溶解扩散" 的免费线上报告。
报告信息：
报告时间：2026 年 10 月 29 日（周四）14:00–15:00
报告形式：线上直播，免费参加
报告讲师：
汪进凯 博士
源资信息科技（上海）有限公司
高级技术支持工程师
直播亮点：
DFT 能垒差合成前预判光刻胶灵敏度
27,000 原子 MD 捕捉光刻胶酸扩散–反应正反馈
粗粒化 MD 揭示光刻胶 LER 主因在光子分布
有限元流场揭示光刻胶显影传质由对流转扩散
报名方式：
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回复关键词“光刻胶”；
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注：报名后可添加工作人员微信，加入交流群。
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