在半导体制备中，薄膜沉积是重要且必不可少的步骤。通常采用的方法有：PVD（物理气相沉积），CVD（化学气相沉积），ALD（原子层沉积）。以上三种基本的沉积工艺及其衍生工艺，在半导体制备工艺中，占据着举足轻重的地位。为了获得高质量的沉积薄膜，往往需要多次沉积实验，优化工艺参数。

然而，沉积实验的成本极高，包括沉积设备维护与折旧、前驱体/靶材消耗、运行成本以及人力成本等。根据某实验中心的收费标准，SI 500D ICP-CVD设备需要800元/小时！为了快速制定沉积工艺参数，降低实验成本，可以根据PVD，CVD与ALD的工艺过程，建立相应的仿真流程。

源资科技将于2025年6月18日14:30-15:30以半导体沉积工艺为基础，从多尺度计算的角度出发举办“半导体沉积工艺：多尺度仿真”主题讲座，分享半导体沉积工艺研发的基本思路，给大家带来理论案例与多尺度仿真的实际应用。

报告时间：

2025年6月18日14:30-15:30

报告方式：

线上直播，免费参加

报告主题：

半导体沉积工艺：多尺度仿真

报告讲师：

汪进凯  高级技术支持工程师，源资科技

报告内容：

报告以半导体沉积工艺为基础，从多尺度计算的角度，分享半导体沉积工艺研发的基本思路，包括PVD，CVD，ALD三类主要沉积工艺，以及相应的多尺度仿真实例，为大家同时带来理论案例与多尺度仿真的实际应用。

报名方式：